| Разрешение |
1нм 30кВ (SE) | 3нм 1кВ (SE) 2.5нм 30кВ (BSE) |
| Увеличение |
15x – 800000x |
| Тип катода |
катод Шоттки (полевая эмиссия) |
| Ток зонда |
10пА – 300нА |
| Ускоряющее напряжение |
0 – 30кВ |
| Вакуумная система |
ионный насос, геттерный насос, турбомолекулярный насос, роторный насос |
| Детекторы |
SE, полупроводниковый четырехсекционный BSE |
| Столик |
моторизованный с пятью степенями свободы |
| Диапазон перемещений столика |
X,Y,Z: 0 – 150мм | вращение: 360° | наклон: -5° – 75° |
| Максимальный диаметр образца |
320мм |
| Дополнительные принадлежности |
CCD, EDS, EBSD, CL, WDS и пр. |
| Модификации |
EBL, STM, AFM, Heating Stage, Cryo Stage, Tensile Stage, Micro-nanomanipulator, SEM+Coating Machine, SEM+ Laser и пр. |
