Вакуумное напыление

Ключевой технологией для полупроводниковой промышленности и создания новых материалов, безусловно, был и остается эпитаксиальный рост тонких пленок. В нашем каталоге представлен широкий спектр систем для молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), от простейшей вакуумной камеры до сложных многокамерных систем, сконфигурированных с использованием комбинации различных методов от ведущего поставщика МВЕ систем. Температурный диапазон источников испарения составляет от -50 ℃ до 3500 ℃.

Подобные МЛЭ системы установлены в самых известных университетах по всему миру (в Китай, США, Южной Корея, Тайвани, ОАЭ, Австралии и др.) и ведущих научно-исследовательских институтах. В зависимости от требуемой функции к свойствам и возможностям такого оборудования различаются несколько типов источников: термические, пиролитические, электронно-лучевые и другие. Системы также могут быть оснащены оборудованием, которое способно мониторить рост тонких пленок (RHEED, BFM, RGA и т. д.), или устройством для достижения автоматизированного повторяемого роста.

За осуществление непрерывного контроля над всеми компонентами системы и обеспечением автоматического контроля роста отвечает программное обеспечение. Системы МВЕ применяется при производстве высокочастотных электронных и фотоэлектронных устройств, тонких пленок, сенсоров и т.п.

Вакуумное напыление

MBE системы

Высокотемпературный испаритель

Двузонный испаритель

Источник атомарного крекинга фосфора

Компактный испаритель

Электронно-лучевой испаритель

Эффузионная ячейка

Напишите нам