620014, г.Екатеринбург,
ул.Куйбышева, д.55, оф.516.
Эпитаксиальный рост тонких пленок является ключевой технологией для полупроводниковой промышленности и создания новых материалов. Компания Exiton поставляет широкий спектр систем для молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), от простейшей вакуумной камеры до сложных многокамерных систем, сконфигурированных с использованием комбинации различных методов. Линейка источников испарения охватывает температурный диапазон от -50 ℃ до 3500 ℃. МЛЭ системы установлены в известных мировых университетах (Китай, США, Южная Корея, Тайвань ОАЭ, Австралия и др.) и научно-исследовательских институтах.
В соответствии с потребностями заказчиков возможны различные типы источников: термические, пиролитические, электронно-лучевые и другие. В системы может быть установлено оборудование для мониторинга роста тонких пленок (RHEED, BFM, RGA и т. д.).
Система может быть сконфигурирована необходимым оборудованием для достижения автоматизированного повторяемого роста. Программное обеспечение позволяет осуществлять непрерывный контроль за всеми компонентами системы и обеспечивать автоматический контроль роста.
2015-2025